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仙童Fairchild电磁阀正品美国

更新时间:2017-09-15

简要描述:

仙童Fairchild电磁阀正品美国在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。有一块n型硅样品,寿命是1us,无光照时电阻率是10W·cm。今用光照射该样品,光被半导体均匀的吸收,电子-空穴对的产生率是1022cm-3·s-1,试计算光照下样品的电阻率,并求电导中少数在流子的贡献占多大比例。 一

更新时间:2017-09-15厂商性质:经销商浏览量:515

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在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。有一块n型硅样品,寿命是1us,无光照时电阻率是10W·cm。今用光照射该样品,光被半导体均匀的吸收,电子-空穴对的产生率是1022cm-3·s-1,试计算光照下样品的电阻率,并求电导中少数在流子的贡献占多大比例。  一块半导体材料的寿命t=10us,光照在材料中会产生非平衡载流子,试求光照突然停止20us后,其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几?n型硅中,掺杂浓度ND=1016cm-3, 光注入的非平衡载流子浓度Dn=Dp=1014cm-3。计算无光照和有光照的电导率

 

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 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?     答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。        (2)理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若干杂质。        (3)理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。  2. 以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。     As有5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键,还剩余一个电子,同时As原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子中心,所以,一个As原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心,但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚,成为在晶格中导电的自由电子,而As原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心,称为施主杂质或N型杂质,掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。  3. 以Ga掺入Ge中为例,说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。 Ga有3个价电子,它与周围的四个Ge原子形成共价键,还缺少一个电子,于是在Ge晶体的共价键中产生了一个空穴,而Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心,所以,一个Ga原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个负电中心和一个空穴,空穴束缚在Ga原子附近,但这种束缚很弱,很小的能量就可使空穴摆脱束缚,成为在晶格中自由运动的导电空穴,而Ga原子形成一个不能移动的负电中心。这个过程叫做受主杂质的电离过程,能够接受电子而在价带中产生空穴,并形成负电中心的杂质,称为受主杂质,掺有受主型杂质的半导体叫P型半导体。  4. 以Si在GaAs中的行为为例,说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。  Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用; Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加,当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用,随着硅浓度的增加,硅取代As原子起受主作用。  5. 举例说明杂质补偿作用。  当半导体中同时存在施主和受主杂质时,   若(1) ND>>NA  因为受主能级低于施主能级,所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上,还有ND-NA个电子在施主能级上,杂质全部电离时,跃迁到导带中的导电电子的浓度为n= ND-NA。即则有效受主浓度为NAeff≈ ND-NA (2)NA>>ND        施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上,受主能级上还有NA-ND个空穴,它们可接受价带上的NA-ND个电子,在价带中形成的空穴浓度p= NA-ND. 即有效受主浓度为NAeff≈ NA-ND (3)NA»ND时,  不能向导带和价带提供电子和空穴,  称为杂质的高度补偿 6. 说明类氢模型的优点和不足。   7. 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数er=17,电子的有效质量  *nm =0.015m0, m0为电子的惯性质量,求①施主杂质的电离能,②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
 解:根据类氢原子模型      8. 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV,相对介电常数er=11.1,空穴的有效质量m*p=0.86m0,m0为电子的惯性质量,求①受主杂质电离能;②受主束缚的空穴的基态轨道半径

 

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